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AlN 세라믹 기판은 230 W/ ((m·K) 에서 5G 기지 스테이션에 대한 열 표준이됩니다.

2025-05-11
Latest company news about AlN 세라믹 기판은 230 W/ ((m·K) 에서 5G 기지 스테이션에 대한 열 표준이됩니다.

5G 매크로 및 소형 셀에서 RF 전력 증폭기 및 필터는 고주파 및 고전력으로 작동하므로 열 성능과 유전 손실 모두에 매우 민감합니다. 기존 Al₂O₃는 종종 두 가지 요구 사항을 동시에 충족하지 못합니다.

AlN 세라믹 기판은 최대 230 W/(m·K)의 열 전도율과 10 GHz에서 <0.0005의 낮은 유전 손실을 제공합니다. 칩 인터페이스에서 열을 효율적으로 제거하는 동시에 신호 무결성을 유지하여 RF PA 열 저항을 약 0.3 K/W로 줄입니다.5G 기지국에서 AlN 기판을 채택하면 접합 온도가 현저히 낮아져 출력 전력과 선형성을 유지하기가 더 쉬워지고, 더 많은 RF 채널을 동일한 캐비닛 부피에 통합하여 사이트 용량을 늘릴 수 있습니다.

“고전력 + 고주파 + 고밀도”가 모두 필요한 경우, AlN은 RF 모듈의 기본 기판 선택이 되어야 하며, 이를 기반으로 레이아웃 및 냉각 최적화가 이루어져야 합니다.