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회사 뉴스 정보 CTE와 일치된 Si3N4 ∼SiC 스택은 800V 전자 드라이브 인터페이스 고장을 90%로 줄입니다.
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CTE와 일치된 Si3N4 ∼SiC 스택은 800V 전자 드라이브 인터페이스 고장을 90%로 줄입니다.

2026-01-12
Latest company news about CTE와 일치된 Si3N4 ∼SiC 스택은 800V 전자 드라이브 인터페이스 고장을 90%로 줄입니다.

800V 플랫폼에서 SiC 장치는 높은 온도와 높은 dI/dt에서 작동하여 패키지 인터페이스에서 열 스트레스를 크게 증폭시키고 초기 전력 모듈 고장을 유발합니다.

Si3N4 기체는 약 3.2×10−6/°C의 열 팽창 계수를 가지고 있으며 ~4.0×10−6/°C에서 SiC와 거의 일치합니다.열 사이클 테스트는 기존 기판을 Si3N4로 교체하면 용접 균열 및 인터페이스 탈 라미네이션 실패가 약 90% 감소한다는 것을 보여줍니다., 크게 파워 사이클 라이프 기간을 연장.

800V 아키텍처를 추진하는 EV 브랜드의 경우 this CTE matching at the material level reduces the need for aggressive derating and allows engineers to unlock more power margin in the same package size while maintaining reliability over the vehicle warranty period.

400V에서 800V로 이동 할 때, SiC 장치 매개 변수에만 집중하는 것은 충분하지 않습니다.인터페이스 신뢰성 및 열 성능이 함께 평가.

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