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회사 뉴스 정보 Si3N4 기판은 OBC 디자인을 향상시키고, 낮은 다이 일렉트릭 손실과 3C 빠른 충전을 결합합니다.
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Si3N4 기판은 OBC 디자인을 향상시키고, 낮은 다이 일렉트릭 손실과 3C 빠른 충전을 결합합니다.

2026-01-12
Latest company news about Si3N4 기판은 OBC 디자인을 향상시키고, 낮은 다이 일렉트릭 손실과 3C 빠른 충전을 결합합니다.

탑재된 충전기 (OBC) 는 3C 고속 충전의 엄격한 효율성과 크기의 요구 사항을 충족하는 동시에 더 높은 전력 밀도와 더 높은 스위칭 주파수를 향해 나아가고 있습니다.

Si3N4 기판은 약 7.5의 변전체 상수 및 낮은 변전체 손실을 가지고 있으며, 고주파 단계의 신호 지연 및 에너지 손실을 줄입니다. 좋은 열 및 기계적 성능과 결합되어,그들은 3C 급전하 중에 OBC 온도를 조절하는 데 도움이 되고 동시에 패키지의 신뢰성을 유지합니다.

이는 OEM 업체들이 더 높은 전력 OBC를 제한된 하우드 공간에 통합하여 더 큰 크기 또는 짧은 수명 없이 더 빠른 충전을 달성 할 수 있습니다.

빠른 충전 경험을 주요 판매점으로 하는 브랜드의 경우Si3N4 기판을 선택적 부가품이 아닌 기본 플랫폼 구성 요소로 취급하면 지속적인 기술적 이점을 확보 할 수 있습니다..

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