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회사 뉴스 정보 열 방출 문제 해결 — IGBT 모듈용 고열 전도성 질화규소 기판
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열 방출 문제 해결 — IGBT 모듈용 고열 전도성 질화규소 기판

2025-11-12
Latest company news about 열 방출 문제 해결 — IGBT 모듈용 고열 전도성 질화규소 기판

최신 전기 자동차, 철도 견인, 산업용 드라이브에서 IGBT 전력 모듈은 높은 열 부하로 인해 과열, 박리 및 피로 고장을 겪는 경우가 많습니다. 기존의 알루미나 또는 질화 알루미늄 기판은 열 전도성과 기계적 강성을 균형 있게 유지할 수 없어 서비스 수명이 단축됩니다.
고열 전도성 질화 규소 세라믹 기판은 90~100 W/m·K의 열 전도율, 600 MPa 이상의 굴곡 강도, 2.8~3.2×10⁻⁶/K의 열팽창 계수를 제공하여 실리콘 칩과 완벽하게 일치하여 열 응력을 최소화하는 최적의 솔루션을 제공합니다.

또한 우수한 전기 절연성(>20 kV/mm)과 낮은 유전 손실(<0.001)을 특징으로 하여 고전압 및 고주파수에서 안전한 작동을 보장합니다. DBC 또는 AMB 금속화를 채택함으로써 Si₃N₄ 기판은 구리와 효율적인 접합을 달성하여 방열 및 신뢰성을 최적화합니다. IGBT 및 SiC 전력 모듈에서 이 기판은 접합 온도를 15~20°C 낮추고 모듈 수명을 최대 3배까지 연장하여 EV 전력 인버터, 고속 열차, 재생 에너지 변환기 및 스마트 그리드에 선호되는 선택입니다.
Si₃N₄ 세라믹은 차세대 전력 전자 패키징 재료로, 극한의 열 사이클링 조건에서 뛰어난 성능, 내구성 및 에너지 효율성을 제공합니다.

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