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중국 Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd 회사 뉴스

AlN 세라믹 기판은 230 W/ ((m·K) 에서 5G 기지 스테이션에 대한 열 표준이됩니다.

5G 매크로 및 소형 셀에서 RF 전력 증폭기 및 필터는 고주파 및 고전력으로 작동하므로 열 성능과 유전 손실 모두에 매우 민감합니다. 기존 Al₂O₃는 종종 두 가지 요구 사항을 동시에 충족하지 못합니다. AlN 세라믹 기판은 최대 230 W/(m·K)의 열 전도율과 10 GHz에서

2025

05/11

낮은 유전 손실 및 고강도 질화 규소 세라믹 기판 — 차세대 반도체 패키징을 위한 선호 선택

SiC (실리콘 카바이드) 와 GaN (갈륨 나이트라이드) 기술이 전력 전자 산업을 계속 재구성함에 따라 신뢰할 수 있고 고성능 포장 재료에 대한 수요가 증가하고 있습니다.실리콘 나이트라이드 (Si3N4) 세라믹 기판, 낮은 다이 일렉트릭 손실, 높은 단열 강도, 그리고 예외적인 기계적 견고성, 고급 전력 모듈 응용 프로그램에 대한 최고의 선택이되었습니다. 고 순수성 Si3N4 분말로 만들어져 2000°C 이상 sintered되어, 실리콘 나이트라이드 세라믹 기판은 8 이하의 변전압 상수와 손실 접착 (tanδ) 80W/m·K) 과 우수한 부서지기 강도를 결합하여 EV 드라이브 시스템에 이상적입니다.철도 견인 제어 장치, 그리고 빠른 충전 모듈. 오늘날 실리콘 나이트라이드 세라믹 기판은 새로운 에너지 모터 제어 시스템, 산업 인버터, 전력 변환 모듈 및 5G 베이스 스테이션 증폭기에서 널리 사용됩니다.안정적인 단열과 효율적인 열 분산열, 전기 및 기계적 성능의 비교할 수 없는 균형으로, Si3N4 기판은 차세대 반도체 포장의 표준을 재정의하고 있습니다.

2025

02/28

EV 전력 모듈 과열? 고절연 Si₃N₄ 기판이 시스템 신뢰성을 향상시킵니다.

전기 자동차 전력 모듈은 종종 극한 조건, 즉 고전류, 고주파수 및 지속적인 열 사이클링에서 작동합니다. 이러한 스트레스는 박리, 솔더 피로 및 결국 장치 고장을 유발합니다. 고절연 실리콘 질화물 기판은 단일 플랫폼에서 높은 열 전도율 (≥90 W/m·K), 뛰어난 유전 강도 (≥20 kV/mm) 및 탁월한 기계적 강도 (≥600 MPa)를 결합하여 이러한 문제를 해결하도록 설계되었습니다. CTE가 3×10⁻⁶/K인 이 기판은 실리콘 또는 SiC 칩과 완벽하게 일치하여 열 피로를 줄이고 장기적인 신뢰성을 향상시킵니다. AMB 또는 DBC 구리 금속화는 효율적인 열 분산을 위해 우수한 접착력과 낮은 열 저항을 제공합니다. 현장 데이터에 따르면 Si₃N₄ 기반 모듈은 125°C에서 2000시간 이상 열화 없이 작동할 수 있으며 100,000회 이상의 열 사이클에서 안정성을 유지합니다. 오늘날 Si₃N₄ 기판은 EV 트랙션 인버터, 온보드 충전기, DC-DC 컨버터 및 에너지 저장 시스템에 널리 사용되어 기존 세라믹에 비해 더 안전한 작동, 더 높은 전력 밀도 및 더 긴 수명을 제공합니다. 차세대 신뢰성을 추구하는 제조업체에게 이 기술은 가혹한 자동차 환경에서 뛰어난 전기 절연 및 열 관리 성능을 보장합니다.

2025

02/04

풍력 및 EV 모터의 베어링 고장? Si₃N₄ 볼은 유지보수가 필요 없고 전기적으로 절연된 성능을 제공합니다.

Si₃N₄ 볼은 이제 EV 트랙션 모터, 풍력 터빈 발전기 및 고속 산업용 스핀들에 사용되는 하이브리드 및 완전 세라믹 베어링의 표준 재료입니다. 이들은 완전한 전기 절연을 제공하여 전류 누설 경로를 제거하고 윤활 무결성을 보호합니다. 낮은 밀도와 높은 강성 덕분에 이러한 베어링은 더 높은 회전 속도와 낮은 진동 수준을 허용하여 에너지 효율을 직접적으로 향상시킵니다. 장기간 현장 사용에서 교체 간격은 300~400% 연장되었고 소음 수준은 20% 감소했습니다.산업이 전동화되고 유지 보수가 필요 없는 시스템으로 전환됨에 따라 질화 규소 베어링은 고속, 고전압 및 고신뢰성 회전 응용 분야를 위한 최고의 솔루션으로 전 세계적으로 인정받고 있습니다.

2025

02/03

고열전도성 실리콘 나이트라이드 세라믹 기판은 EV 및 IGBT 모듈의 열 분비를 촉진합니다.

전기차 (EV), 고속철도, 그리고 새로운 에너지 충전 시스템의 급속한 발전으로, 전력 장치의 열 관리는 시스템 신뢰성의 중요한 요소가 되었습니다. The high thermal conductivity silicon nitride (Si₃N₄) ceramic substrate has emerged as a key material for advanced packaging and heat dissipation in third-generation semiconductor devices such as IGBTs, MOSFET, 그리고 SiC 모듈. 고순도의 실리콘 나이트라이드 분말로 제조된 기판은 독점적인 공식과 핫프레싱 과정을 사용하여 2000°C 이상의 온도에서 합금된다.그것은 우수한 전기 단열을 유지하면서 80W/m·K를 초과하는 열 전도성을 달성합니다., 낮은 다이 일렉트릭 손실, 높은 기계적 강도 알루미나 및 알루미늄 질소와 비교하면, Si3N4 세라믹은 우수한 강도와 열 충격 저항을 제공합니다.장치는 더 긴 수명과 더 높은 시스템 안정성을 보장. EV 모터 드라이브 모듈, 인버터, DC / DC 변환기 및 빠른 충전 스테이션에서 Si3N4 세라믹 기판은 교류 온도를 효과적으로 낮추고 열 분산 효율을 향상시킵니다.그 탁월 한 부서지기 견고성 및 열 사이클에 대한 저항은 하이브리드 차량 및 철도 교통 전력 시스템과 같은 열악한 조건에 이상적입니다.. EV 산업 이외에도 실리콘 나이트라이드 기판은 철도 견인 시스템, 전력 전자 제어 모듈, 산업 인버터 및 태양광 인버터에도 사용됩니다.높은 열전도성으로, 전기 단열 및 신뢰성, Si3N4 기판은 전력 전자 패키지 및 열 관리의 미래를 재정의하고 있습니다.

2025

02/02

불완전한 수소 제거? 업그레이드된 Si₃N₄ 로터 시스템이 주조 품질 및 공정 안정성을 향상시킵니다.

알루미늄 다이캐스팅 작업에서 탈기 효율은 주조 무결성을 직접적으로 결정합니다. 기존 흑연 로터는 빠르게 산화 및 침식되어 가스 분산이 고르지 않고 유지 보수가 자주 필요합니다. 질화 규소 세라믹 로터 시스템은 수소 제거를 극대화하기 위해 정밀하게 설계된 임펠러 디자인과 최적화된 기포 확산 채널을 사용합니다. 고밀도 Si₃N₄로 제작되어 900~1000 °C에서 1,000시간 연속 작동 시에도 열 충격 및 부식에 강합니다. 그 결과 수소 함량 30~40% 감소, 금속 밀도 8~10% 증가, 핀홀 결함 현저히 감소했습니다. 세라믹은 용융 알루미늄에 화학적으로 비활성이므로 더 깨끗한 용융을 보장하여 필터 수명을 연장하고 다운스트림 품질을 향상시킵니다. 자동차 휠, 피스톤 및 구조용 다이캐스트 부품의 경우 업그레이드된 Si₃N₄ 로터 시스템은 더 높은 수율, 더 낮은 유지 보수 및 우수한 일관성을 제공하여 제조업체가 까다로운 시장을 위해 경량의 결함 없는 알루미늄 부품을 달성하도록 돕습니다.

2025

02/02

용융 알루미늄 내 과도한 수소? Si₃N₄ 탈기 샤프트 및 로터는 조밀하고 결함 없는 주조품을 보장합니다.

수소는 용융 알루미늄에서 흔한 불순물로, 주조 시 기공을 유발하고 기계적 강도를 감소시킵니다. 질화 규소 탈가스 로터 및 샤프트는 700~1000 °C에서 산화 또는 화학 반응 없이 지속적으로 작동하도록 설계되었습니다. 굽힘 강도 ≥ 800 MPa 및 밀도 ≥ 3.2 g/cm³으로, 이 부품은 치수 안정성을 유지하고 장기간 내구성을 보장합니다. Si₃N₄의 비젖음성은 알루미늄 오염을 방지하는 반면, 최적화된 로터 형상은 아르곤 또는 질소를 미세 기포로 분산시켜 수소 제거를 더 빠르고 균일하게 달성합니다. 산업 테스트 결과 흑연 로터에 비해 탈가스 효율이 30% 증가하고 주조 기공이 최대 50% 감소했습니다. 현재 다이캐스팅, 알루미늄 합금 정련, 연속 주조에 널리 사용되는 Si₃N₄ 탈가스 시스템은 깨끗한 금속, 더 긴 로터 수명, 고성능 알루미늄 부품의 보다 안정적인 생산을 보장합니다.

2025

02/02

세 층의 피라미드 세라믹 기판: Al2O3 밑에, AlN 중간에, Si3N4 위

성능·비용 관점에서 Al2O3, AlN, Si3N4는 역할의 피라미드를 형성하고 있습니다.각각의 애플리케이션은 단순한 승자가 모든 것을 차지하는 경쟁에 참여하는 대신 특정 레벨의 애플리케이션을 지배합니다.. Al2O3, 비교할 수 없는 비용 효율성으로, 낮은 및 대량 시장에 서비스; AlN, 높은 열 전도성 및 낮은 다이 일렉트릭 손실, 높은 전력 및 고 주파수 응용 프로그램을 지배;그리고 Si3N4, 성능 천장으로서, 고전압, 높은 신뢰성 및 높은 충격 환경을 목표로합니다. FR-4와 높은 Tg 물질이 PCB 기술에서 장기간 공존하는 것처럼 세라믹 기판의 미래는 각 시나리오에 가장 좋은 물질을 선택하는 것입니다.모든 사용 사례를 지배하는 단일 물질에 관한 것이 아닙니다.. 세라믹 기판 로드맵을 계획 할 때 먼저 응용 시나리오와 유력한 실패 방식을 이해하는 것이 중요합니다.그 다음 Al2O3 / AlN / Si3N4를 순전히 가격 또는 스펙 셰이트 순위에 따라 결정하는 대신 적절히 일치하십시오..

2025

01/26

25MPa 강도를 가진 AMB 접합 Si₃N₄-Cu, 자동차 IGBT 패키징의 새로운 시대를 열다

활성 금속 브레이징(AMB)은 고출력 모듈에서 세라믹 기판에 Cu 클래딩을 위한 핵심 기술이며, 접합 강도는 열 사이클 및 기계적 충격 하에서 IGBT/SiC 모듈의 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 금속화 및 필러 시스템을 최적화함으로써 Si₃N₄–Cu 접합 강도는 25MPa까지 향상되었으며, 이는 기존 AlN–Cu 스택의 약 1.5배입니다. 이를 통해 동일한 구리 두께와 레이아웃을 가진 모듈이 더 높은 열 및 기계적 부하를 견딜 수 있습니다. 자동차 등급 인버터, OBC 및 DC/DC 컨버터의 경우, 더 높은 접합 강도는 패드 박리 위험을 줄일 뿐만 아니라 “더 얇은 구리, 더 작은 패키지”를 가능하게 하여 더 높은 전력 밀도와 더 컴팩트한 언더후드 레이아웃을 용이하게 합니다. 모듈 업그레이드 단계에서 Si₃N₄ AMB 솔루션은 전력 사이클링 및 열 충격 수명을 동일한 레이아웃에서 A/B 비교하여 신뢰성 향상을 정량화하여 조기에 시험해야 합니다.

2025

01/14

항공우주 분야에 적용된 Si₃N₄ 세라믹 기판, 1200°C에서 장기간 작동 가능

항공우주 전력 및 제어 전자기기는 더 높은 온도와 더 높은 전력 밀도를 향해 움직이고 있습니다. 전통적인 금속 기판은 1000 ° C 이상으로 산화, 변형 또는 코팅 실패를 겪는 경향이 있습니다. 1200°C의 장기 시험에서 Si3N4 기판은 안정적인 기계적 강도와 단열 성질을 유지했습니다. 적절한 금속화 및 포장 구조와 결합하면높은 온도를 견딜 수 있습니다., 열순환 및 진동 동시에 중요한 구조적 손상없이. 이것은 고온 전력 모듈, 추진 제어 장치 및 탑재 전력 관리에 대한 새로운 재료 옵션을 제공합니다.시스템 아키텍처를 단순화하고 신뢰성을 향상시키는 동시에 복잡한 다단계 냉각 및 단열에 대한 필요성을 줄일 수 있습니다.. 800~1200°C의 항공우주 또는 산업환경에용 전자제품을 설계할 때, Si3N4는 수명 및 고장 모드 측면에서 금속 기판과 비교되어야 합니다.초기 열전도보다는.

2025

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